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多孔氮化硅TEM載網(wǎng)的制備方法

更新時間:2025-08-22      點擊次數(shù):125
  多孔氮化硅TEM載網(wǎng)是一種專為透射電子顯微鏡(TEM)設(shè)計的高性能載網(wǎng),它以高純單晶硅為基底,覆蓋一層超薄氮化硅(厚度10-50nm)作為支撐膜,能夠?qū)崿F(xiàn)原子級分辨率的成像。
  多孔氮化硅TEM載網(wǎng)的優(yōu)勢:
  1、原子級分辨率:厚度均勻,電子束穿透率高,成像背景噪音較低,可清晰呈現(xiàn)原子級結(jié)構(gòu),尤其適合球差電鏡的高分辨表征。
  2、耐高溫與耐腐蝕:氮化硅膜可耐受1000℃高溫及酸性環(huán)境,適用于高溫樣品制備或酸性條件下的TEM觀察,而傳統(tǒng)銅網(wǎng)在此類條件下易變形或腐蝕。
  3、無碳元素干擾:不含碳元素,避免了傳統(tǒng)碳膜載網(wǎng)在電子束輻照下積碳的問題,確保長時間觀察或高劑量輻照時成像質(zhì)量穩(wěn)定。
  4、良好的電子束穿透性:超薄的氮化硅膜不含碳元素,能有效避免積碳,減少電子束散射,提供清晰的背景,尤其適合球差原子分辨表征,可獲得高質(zhì)量的 TEM 圖像。
  制備方法:
  通常采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)結(jié)合光刻、刻蝕等微納加工技術(shù)制備。如先通過 LPCVD 在硅片基底上沉積氮化硅薄膜,然后利用光刻技術(shù)在薄膜上形成圖案,再通過反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等方法刻出多孔結(jié)構(gòu),最后去除基底硅,得到多孔氮化硅 TEM 載網(wǎng)。
  使用時避免在潮濕或腐蝕性環(huán)境中長時間暴露,以防氮化硅膜性能下降。
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